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Semiconductores

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
El número de los miembros de la familia

El número de los miembros de la familia

MOSFET P-CH 55V 74A hasta 220AB
Tecnologías Infineon
IRF300P226

IRF300P226

MOSFET IFX OPTIMOS TO247 y sus componentes
Tecnologías Infineon
MAX3486EESA+T

MAX3486EESA+T

IC TXRX RS485/422 2.5MBPS 8SOIC
Maxim integrado
IRFB3006GPBF

IRFB3006GPBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Tecnologías Infineon
No se puede hacer nada.

No se puede hacer nada.

Microcontroladores ARM - MCU Kinetis 128K Flex
Escala libre / NXP
MKL33Z256VLH4

MKL33Z256VLH4

Microcontroladores ARM - MCU 256KBSegmento LCD L
Escala libre / NXP
LPC2214FBD144/01

LPC2214FBD144/01

Microcontroladores ARM - MCU ARM7 256KF/16KR/ADC
Semiconductores NXP
2SK2837

2SK2837

Tipo MOS del canal N de silicio (π−MOSV)
Semiconductor de Toshiba
2SK2225-E

2SK2225-E

MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, libre de Pb
Renesas Electrónica
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, y a los vehículos de las categorías A y B.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, y a los vehículos de las categorías A y B.

MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotriz
Vishay Semiconductores
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.

MOSFET 180 Amperios 100V 0,008 Rds
IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.

MOSFET 230 Amperios 100 V 0,006 Rds
IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

MOSFETO MOSFETO
Renesas Electrónica
Se aplicará el método de clasificación de los productos.

Se aplicará el método de clasificación de los productos.

MOSFET 50 Amperios 800 V
IXYS
NX138AKSX

NX138AKSX

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l
Nexperia
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.

FPGA - Matriz de puertas programables de campo
Altera/Intel
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

MOSFET 300V 73A: el número de unidades
IXYS
CSD88537ND

CSD88537ND

MOSFET de potencia de doble canal N de 60 V
Las acciones de Texas Instruments
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse.

MOSFET 20 Amperios 1000V 1 Rds
IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

MOSFET 20V MOSFET de zanja de canal N
Nexperia
Se aplicarán las siguientes medidas:

Se aplicarán las siguientes medidas:

MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
Tecnologías Infineon
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
Vishay Semiconductores
SPW20N60C3

SPW20N60C3

MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 y otros sistemas de transmisión de energía
Tecnologías Infineon
FDP33N25

FDP33N25

MOSFET 250V MOSFET de canal N
Semiconductor Fairchild
Se aplicará a los productos de la categoría II, incluidos los productos de la categoría III.

Se aplicará a los productos de la categoría II, incluidos los productos de la categoría III.

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 y el resto de los componentes
Tecnologías Infineon
IPP60R099P6

IPP60R099P6

MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
Tecnologías Infineon
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

MOSFET 900V QFET de canal N
Semiconductor Fairchild
FDS89161LZ

FDS89161LZ

MOSFET PT5 100V Nivel lógico con Zener
Semiconductor Fairchild
IRFL014TRPBF

IRFL014TRPBF

MOSFET N-Chan 60V 2,7 Amp
Vishay Semiconductores
DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

MOSFET 30V Comp ENH Modo H-Puente 20V VGSS
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de clase X
IXYS
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de pruebas de ensayo.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de pruebas de ensayo.

FPGA - Array de puertas programables de campo 19K LUTs 140 SERDES DSP -7
Las redes
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

FPGA - Portón programable de campo 92K LUTs 380 SERDES de entrada y salida 1.2V -8 velocidad
Las redes
El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.

El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.

FPGA - Matriz de puertas programables de campo 66.5K LUTs 380 SERDES1.2V -7Spd IND
Las redes
El objetivo de las medidas es:

El objetivo de las medidas es:

FPGA - Portón programable de campo 17.3K LUTs 116 I/O 1.2V -6 VELECIDAD
Las redes
El objetivo es:

El objetivo es:

MOSFET 82 Amperios 250V 0.035 Rds
IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

FPGA - Matriz de puerta programable de campo 6864 LUT
Las redes
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD100N04

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD100N04

MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
Tecnologías Infineon
LCMXO3LF-6900C-6BG256C

LCMXO3LF-6900C-6BG256C

FPGA - Matriz de puerta programable de campo 6864 LUT
Las redes
LCMXO2-7000HC-4TG144I

LCMXO2-7000HC-4TG144I

FPGA - Matriz de puerta programable en campo 6864 LUT 115 I/O 3.3V 4 VELOCIDAD
Las redes
LCMXO2-2000HC-4TG144C

LCMXO2-2000HC-4TG144C

FPGA - Puerta de campo programable 2112 LUTs 112 IO 3.3V 4 Spd
Las redes
APA450-PQ208I: el contenido de la sustancia activa en el producto

APA450-PQ208I: el contenido de la sustancia activa en el producto

FPGA - Array de puertas programables de campo ProASIC Plus
Las demás
LCMXO2-4000HC-4TG144I

LCMXO2-4000HC-4TG144I

FPGA - Matriz de puerta programable de campo 4320 LUT 115 IO 3.3V 4 Spd
Las redes
LCMXO3L-6900C-5BG256C

LCMXO3L-6900C-5BG256C

FPGA - Arreglo de puerta programable de campo MachXO3, 6864 LUT 2.5/3.3V
Las redes
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

MOSFET 400V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
Semiconductor Fairchild
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

FPGA - Portón programable de campo 2280 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 Spd
Las redes
2N7002BKS,115

2N7002BKS,115

MOSFET de doble canal N 60V 300mA
Nexperia
El objetivo de la evaluación es evaluar los resultados obtenidos en el marco de la evaluación.

El objetivo de la evaluación es evaluar los resultados obtenidos en el marco de la evaluación.

FPGA - Matriz de puerta programable de campo 2112 LUT 80 IO 3.3V 6 Spd
Las redes
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F

MOSFET 60V 225mW
Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET 80 V, MOSFET de canal N con zanja
Nexperia
465 466 467 468 469