Filtros
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Semiconductores
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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El número de los miembros de la familia |
MOSFET P-CH 55V 74A hasta 220AB
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Tecnologías Infineon
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IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMOS TO247 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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MAX3486EESA+T |
IC TXRX RS485/422 2.5MBPS 8SOIC
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Maxim integrado
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IRFB3006GPBF |
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
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Tecnologías Infineon
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No se puede hacer nada. |
Microcontroladores ARM - MCU Kinetis 128K Flex
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Escala libre / NXP
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MKL33Z256VLH4 |
Microcontroladores ARM - MCU 256KBSegmento LCD L
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Escala libre / NXP
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LPC2214FBD144/01 |
Microcontroladores ARM - MCU ARM7 256KF/16KR/ADC
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Semiconductores NXP
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2SK2837 |
Tipo MOS del canal N de silicio (π−MOSV)
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Semiconductor de Toshiba
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, libre de Pb
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Renesas Electrónica
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, y a los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotriz
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 180 Amperios 100V 0,008 Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 230 Amperios 100 V 0,006 Rds
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II. |
MOSFETO MOSFETO
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Renesas Electrónica
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET 50 Amperios 800 V
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IXYS
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NX138AKSX |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l
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Nexperia
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo
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Altera/Intel
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
MOSFET 300V 73A: el número de unidades
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IXYS
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CSD88537ND |
MOSFET de potencia de doble canal N de 60 V
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Las acciones de Texas Instruments
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse. |
MOSFET 20 Amperios 1000V 1 Rds
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET 20V MOSFET de zanja de canal N
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Nexperia
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
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Vishay Semiconductores
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SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDP33N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará a los productos de la categoría II, incluidos los productos de la categoría III. |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 y el resto de los componentes
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Tecnologías Infineon
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IPP60R099P6 |
MOSFET alto precio de potencia / rendimiento
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Tecnologías Infineon
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 900V QFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V Nivel lógico con Zener
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Semiconductor Fairchild
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IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 Amp
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Vishay Semiconductores
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DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Modo H-Puente 20V VGSS
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET Pwr de clase X
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IXYS
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de pruebas de ensayo. |
FPGA - Array de puertas programables de campo 19K LUTs 140 SERDES DSP -7
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Las redes
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
FPGA - Portón programable de campo 92K LUTs 380 SERDES de entrada y salida 1.2V -8 velocidad
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Las redes
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El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo 66.5K LUTs 380 SERDES1.2V -7Spd IND
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Las redes
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El objetivo de las medidas es: |
FPGA - Portón programable de campo 17.3K LUTs 116 I/O 1.2V -6 VELECIDAD
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Las redes
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El objetivo es: |
MOSFET 82 Amperios 250V 0.035 Rds
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IXYS
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
FPGA - Matriz de puerta programable de campo 6864 LUT
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Las redes
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD100N04 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
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Tecnologías Infineon
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LCMXO3LF-6900C-6BG256C |
FPGA - Matriz de puerta programable de campo 6864 LUT
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Las redes
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LCMXO2-7000HC-4TG144I |
FPGA - Matriz de puerta programable en campo 6864 LUT 115 I/O 3.3V 4 VELOCIDAD
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Las redes
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LCMXO2-2000HC-4TG144C |
FPGA - Puerta de campo programable 2112 LUTs 112 IO 3.3V 4 Spd
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Las redes
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APA450-PQ208I: el contenido de la sustancia activa en el producto |
FPGA - Array de puertas programables de campo ProASIC Plus
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Las demás
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LCMXO2-4000HC-4TG144I |
FPGA - Matriz de puerta programable de campo 4320 LUT 115 IO 3.3V 4 Spd
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Las redes
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LCMXO3L-6900C-5BG256C |
FPGA - Arreglo de puerta programable de campo MachXO3, 6864 LUT 2.5/3.3V
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Las redes
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
FPGA - Portón programable de campo 2280 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 Spd
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Las redes
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2N7002BKS,115 |
MOSFET de doble canal N 60V 300mA
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Nexperia
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El objetivo de la evaluación es evaluar los resultados obtenidos en el marco de la evaluación. |
FPGA - Matriz de puerta programable de campo 2112 LUT 80 IO 3.3V 6 Spd
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Las redes
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MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 80 V, MOSFET de canal N con zanja
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Nexperia
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