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Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET Transistor Pwr de 100 V OptiMOS 5
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Tecnologías Infineon
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IPB60R380C6 |
MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6 y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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FDS6679 (incluido el número de unidades) |
MOSFET SO-8
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Semiconductor Fairchild
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SI7232DN-T1-GE3 |
MOSFET 20V 25A 23W 16.4mohm @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS y otros sistemas de transmisión de energía
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Tecnologías Infineon
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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FDC6318P |
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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DMP4025LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
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Diodos incorporados
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IRF9358TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
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Tecnologías Infineon
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NDS9945 |
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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En el caso de las
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FDMA3023PZ |
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
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En el caso de las
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FDMA6023PZT |
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
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En el caso de las
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IRF7319TRPBF |
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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Tecnologías Infineon
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DMP3056LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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Diodos incorporados
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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En el caso de las
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FDMS3620S |
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
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En el caso de las
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FDS6975 |
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
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En el caso de las
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DMN65D8LDW-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
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Diodos incorporados
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DMC2038LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
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Diodos incorporados
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FDC6333C |
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 y el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la s
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Tecnologías Infineon
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FDC6506P |
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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En el caso de las
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FDS9958 |
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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En el caso de las
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Se trata de una serie de medidas que se aplican a los vehículos de transporte público. |
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC y el resto de los componentes
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En el caso de las
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STN1NK60Z |
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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STMicroelectrónica
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El equipo de seguridad de la empresa |
MOSFET N-CH 1KV 13A hasta 247
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STMicroelectrónica
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FDV301N |
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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NTS4001NT1G |
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 y sus componentes
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En el caso de las
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DMN6140L-7 |
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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DMP3099L-7 y sus componentes |
MOSFET P-CH 30V SOT23: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto invernadero
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Diodos incorporados
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DMG3402L-7 |
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
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Diodos incorporados
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DMG3415U-7 |
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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NDS331N |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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DMG6968U-7 |
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDN335N |
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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IRLML6344TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Tecnologías Infineon
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FDN306P |
MOSFET P-CH 12V 2,6A SSOT3
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En el caso de las
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DMN10H220L-7 |
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 y sus componentes
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Diodos incorporados
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ZVN3320FTA |
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Diodos incorporados
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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FDN359AN |
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 y el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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FQT5P10TF |
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos. |
MOSFET N-CH 60V 11A hasta 252AA
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En el caso de las
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DMP10H400SE-13 y sus componentes |
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto i
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Diodos incorporados
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto inve
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En el caso de las
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IRFM120ATF |
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 y sus componentes
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En el caso de las
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FDS6675BZ |
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC y sus componentes
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En el caso de las
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NVF3055L108T1G |
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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En el caso de las
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FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC y otros componentes
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En el caso de las
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NTD25P03LT4G |
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
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En el caso de las
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