Filtros
Filtros
Semiconductores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD2N100TM |
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK, para el cual se utiliza el módulo DPAK
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDMS8018 |
MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN y el resto de los componentes
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FQD3P50TM |
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FQD4P40TM |
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRFS3004TRL7PP |
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 y sus componentes
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4010TRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
FQP47P06 |
MOSFET P-CH 60V 47A hasta 220
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRFB7730PBF |
MOSFET N-CH 75V 195A a 220
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
DMN63D8LW-7 |
MOSFET N-CH 30V 0,38A SOT323
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMN26D0UT-7 |
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se trata del DMN6075S-7. |
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 y sus componentes
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMP510DL-7 y sus componentes |
MOSFET P-CH 50V 0,18A SOT23 y el resto de los componentes
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMN2056U-7 |
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 y el resto de los componentes
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
IRLML2030TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se trata del DMN3150L-7. |
MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 y sus componentes
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMP2035UVT-7 |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
DMT6016LSS-13 |
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC y sus componentes
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
FDS8884 |
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC y el resto de los componentes
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDME905PT |
MOSFET P-CH 12V 6-UMLP y sus componentes
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FQD6N40CTM |
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
DMP4010SK3Q-13 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252 y otros componentes
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
FDD6685 |
MOSFET P-CH 30V 11A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDD86113LZ |
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 y otros componentes de los mismos
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRFH7440TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN y otros componentes de los mismos
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
FCD7N60TM |
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDB14N30TM |
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga |
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK, para el cual se utiliza un sistema de control de velocidad
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRFS7730TRL7PP |
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se trata de la DMN3300U-7. |
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 y sus componentes
|
Diodos incorporados
|
|
|
|
|
|
IRF200P222 |
MOSFET N-CH 200V 182A hasta 247AC
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de los datos.
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS7430TRLPBF |
MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK: el contenido de los componentes de los componentes de los componentes de
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
STD25NF20 |
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
|
|
IRFR15N20DTRPBF |
Se aplicarán las siguientes medidas:
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de evaluación de los resultados de los ensayos. |
MOSFET N-CH 80V TO263-3 y otros
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
BSS131H6327XTSA1 |
MOSFET N-CH 240V 0,11A SOT23 y el resto de los componentes
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR4620TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFH7085TRPBF |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los gases de combustión.
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
|
STMicroelectrónica
|
|
|
|
|
|
IRFS7530TRL7PP |
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK y el resto de los componentes
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del fabricante. |
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
BSC0702LS |
Se aplicará el procedimiento siguiente:
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método siguiente: |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo
|
Altera/Intel
|
|
|
|
|
|
10CL080YF780I7G |
FPGA - Matriz de puertas programables de campo
|
Altera/Intel
|
|
|
|
|
|
LCMXO3LF-9400C-5BG400C |
FPGA - Portón programable de campo 9400 LUT, 335 I/O, 2.5V/3.3V, -5 velocidad, COM, libre de halógen
|
Las redes
|
|
|
|
|
|
El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos. |
FPGA - Arreglo de puerta programable de campo 4320 LUT
|
Las redes
|
|
|
|
|
|
El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos. |
FPGA - Portón programable de campo 24.3K LUTs, 118 I / O, 1.1V, -7 velocidad, IND, libre de halógeno
|
Las redes
|
|
|