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Productos de semiconductor discretos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Las partidas siguientes se aplicarán a las partidas siguientes:115 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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RB558WMTL |
RB558WM es un VF de baja velocidad
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Semiconductor de Rohm
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BAT54SW |
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT323
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Soluciones de diodos SMC
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El BAS70-05,215 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
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Diodos incorporados
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAV 70 |
GP DE ARRAY DE DIODOS 75V 150MA SOT23
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Soluciones de diodos SMC
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAV70W,115 |
DIODE ARRAY GP 100V 175MA SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAT54AW,115 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAT54SW,115 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV70W-7-F |
Se aplican las siguientes medidas:
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de gestión de la seguridad. |
DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
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En el caso de las
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Bajo el control de la autoridad competente. |
DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
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En el caso de las
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BAW56, ¿qué quieres decir?215 |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de dióxido de carbono.
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV70-7-F |
DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3
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Diodos incorporados
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
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Diodos incorporados
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DSEI2X121-02A: las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo. |
DIODE MODULE 200V 123A SOT227B
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IXYS
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DSEI2X101-06A: el número de unidad |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de dióxido de carbono en el caso de las emisiones d
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IXYS
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Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de la categoría 2. |
DIODE FRED 200V 10A TO220AB
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK
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STMicroelectrónica
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Las condiciones de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se determinarán en el anexo IV. |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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1PS70SB84, en el caso de las máquinas de la categoría N.115 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V SOT323
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Nexperia EE.UU. Inc.
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SDM40E20LC-7 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAT54CT-7-F |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT523
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Diodos incorporados
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
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En el caso de las
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BAV199DW-7-F |
DIODE ARRAY GP 85V 140MA SOT363
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Diodos incorporados
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BAV99S,115 |
DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad. |
DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23
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En el caso de las
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BAV199.215 |
DIODE ARRAY GP 75V 160MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Los datos de las pruebas de detección se deben presentar en el formulario de ensayo.
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Diodos incorporados
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El uso de la tecnología de la información no es necesario. |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
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Diodos incorporados
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BAV99-7-F |
Se aplican las siguientes medidas:
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Diodos incorporados
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El uso de la tecnología de la información en el sector de la información |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
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En el caso de las
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El BAV70,215 |
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV99.215 |
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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BAV99.235 |
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de la RFD15P05 |
MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET P-CH 50V 15A TO252AA
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En el caso de las
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
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Tecnologías Infineon
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NDS335N |
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
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En el caso de las
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NDS351AN |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
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En el caso de las
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El número de unidades de producción |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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IXYS
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Las demás: |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
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IXYS
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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II. |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
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IXYS
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Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II. |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXYS
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXYS
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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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IXYS
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El número de unidades de la serie IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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IXYS
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STP110N8F6 |
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
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STMicroelectrónica
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