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Productos de semiconductor discretos

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN
En el caso de las
FQA30N40

FQA30N40

MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
En el caso de las
FDPF16N50T

FDPF16N50T

MOSFET N-CH 500V 16A TO220F
En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
En el caso de las
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad

El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad

MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
En el caso de las
FDP8N50NZ

FDP8N50NZ

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
En el caso de las
FQP19N20C

FQP19N20C

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
En el caso de las
FQPF4N90C

FQPF4N90C

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.

MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F y el resto de los componentes
En el caso de las
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.

El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.

MOSFET P-CH 40V 100A DPAK
En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de las aeronaves se determinarán en el anexo III.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de las aeronaves se determinarán en el anexo III.

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Vishay Siliconix
FDS5680: el número de unidades de producción

FDS5680: el número de unidades de producción

MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC y sus componentes
En el caso de las
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Nexperia EE.UU. Inc.
Las condiciones de las pruebas de seguridad se determinarán en el anexo III.

Las condiciones de las pruebas de seguridad se determinarán en el anexo III.

MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
En el caso de las
Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
En el caso de las
RSD050N10TL

RSD050N10TL

MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 y el resto de los componentes
Semiconductor de Rohm
FDT3N40TF

FDT3N40TF

MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
En el caso de las
FDC3535

FDC3535

MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
En el caso de las
El PMV27UPEAR

El PMV27UPEAR

MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Semiconductor de Rohm
IXTH1N250

IXTH1N250

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
IXYS
El contenido de nitrato de sodio en el agua es de:

El contenido de nitrato de sodio en el agua es de:

MOSFET N-CH 500V 24A TO247
IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 150V 150A TO264
IXYS
Las condiciones de los vehículos de las categorías IIa y IIIa

Las condiciones de los vehículos de las categorías IIa y IIIa

MOSFET N-CH 300V 86A hasta 247AD
IXYS
Se aplicará el método IRFP4668PBF.

Se aplicará el método IRFP4668PBF.

MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Tecnologías Infineon
Se aplicará el método siguiente:

Se aplicará el método siguiente:

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
IXYS
Se trata de un sistema de control basado en el control de la seguridad.

Se trata de un sistema de control basado en el control de la seguridad.

MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
STMicroelectrónica
FDB3652

FDB3652

MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK y el resto de los componentes
En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Nexperia EE.UU. Inc.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formato RJK0330DPB-01#J0

Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formato RJK0330DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Renesas Electronics América Inc.
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Tecnologías Infineon
Se aplicará el método de evaluación de los resultados.

Se aplicará el método de evaluación de los resultados.

MOSFET de potencia de canal N
Tecnologías Infineon
Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros son las siguientes:

Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros son las siguientes:

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
TK8S06K3L ((T6L1,NQ)

TK8S06K3L ((T6L1,NQ)

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
¿Qué es eso?

¿Qué es eso?

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodos incorporados
DMP4015SPSQ-13

DMP4015SPSQ-13

MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodos incorporados
RSR025P03TL

RSR025P03TL

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Semiconductor de Rohm
ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA

MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
IXYS
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad

El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA
IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
IXYS
130 131 132 133 134