Productos de semiconductores discretos para la venta

El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga

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STMFS4854NST1G: el número de unidades de seguridad de las que se trate.

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2N7002K36

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Los datos de los datos de los Estados miembros se publicarán en el Diario Oficial del Reino Unido.

UPA2590T1H-T2-AT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Se trata de un documento de identificación de la autoridad competente de un Estado miembro.

SIZ980BDT-T1-GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Vishay / Siliconix stock available at Tanssion

Las ayudas a la inversión

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MCH3360-TL-E-ON

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Se aplicará el procedimiento de ensayo.

NTMFD5C462NLT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor stock available at Tanssion

DMT47M2LDVQ-13

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FDMC0208

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parte #	Descripción	fabricante
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC	Tecnologías Infineon
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos	MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC	Tecnologías Infineon
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos	MOSFET N-CH 100V 200A TO3P	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros	MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse.	MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN	En el caso de las
STFW3N150	MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT	STMicroelectrónica
Los Estados miembros deberán establecer un marco para la aplicación de las disposiciones del presente Reglamento.	MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB	Tecnologías Infineon
Se trata de una medida de seguridad.	MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3	En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3	En el caso de las
Se aplicarán los siguientes requisitos:	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	Nexperia EE.UU. Inc.
FDB2614	MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK	En el caso de las
FDP150N10: el número de unidades	MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3	En el caso de las
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo y de los equipos de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo y de los equipos de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo.127	MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB	Nexperia EE.UU. Inc.
FQPF6N80C	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F	En el caso de las
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.	MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK	Vishay Siliconix
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3	En el caso de las
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.	MOSFET P-CH 60V 120A TO263	Vishay Siliconix
SQM100P10-19L_GE3	MOSFET P-CH 100V 93A TO263	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 20% del valor de las emisiones.	MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Las condiciones de los certificados de calidad	MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 200V 19A TO220F	En el caso de las
FQB5N90TM	MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK	En el caso de las
Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN y otros componentes de los mismos	En el caso de las
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA	Vishay Siliconix
Si el número de unidades de producción es superior a 0,01	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
FQB19N20LTM	MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK	En el caso de las
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN	En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6	STMicroelectrónica
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades	MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN	En el caso de las
SIR872ADP-T1-GE3 (en inglés)	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Si el producto no es compatible con la norma ISO 7638:2003, se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8 y sus componentes	Vishay Siliconix
SIR690DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.	MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
FDS4672A: las condiciones de los vehículos de transporte	MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC El contenido de MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC es el contenido de MOSFET N-CH 4	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.	MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.	MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S	Vishay Siliconix
Se trata de una serie de productos que se fabrican en el interior de una fábrica.	MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver	Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un sistema de control de la calidad.	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4	En el caso de las
BUK9Y65-100E,115	MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
El número de unidades de seguridad de la aeronave será el siguiente:	MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.	MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 y el resto de los componentes	Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
FQD13N06LTM	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.	MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles, el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles será igual al 0,5% en el caso de los combustibles fósiles.	MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3	Vishay Siliconix
Es el DMTH6016LPSQ-13	MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI	Diodos incorporados
Las condiciones de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3	Diodos incorporados

132 133 134 135 136

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales