Productos de semiconductores discretos para la venta

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IPL60R385CP datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Las condiciones de los contratos de seguros de vida

IRF512S2532 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

El objetivo de las medidas es:

ISL6594ACRZ-TR5212 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

FF11MR12W1M1PB11BPSA1

FF11MR12W1M1PB11BPSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from IR (Infineon Technologies) stock available at Tanssion

Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del fabricante.

APTM10AM05FTG datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Roving Networks / Microchip Technology stock available at Tanssion

Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del fabricante.

RJK03S3DPA-00#J5A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

DMN2024UDH-7 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) stock available at Tanssion

Los datos de los datos de los demás Estados miembros

UPA602T-T2-A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:

FQPF6N50C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Los datos de los Estados miembros de la UE deben estar disponibles en el formulario de solicitud.

SISF02DN-T1-GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Vishay / Siliconix stock available at Tanssion

parte #	Descripción	fabricante
Se aplicarán los siguientes requisitos:	MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
FDC86244 y otros	MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6	En el caso de las
Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO	Vishay Siliconix
Si el producto no es compatible con el mercado, el producto no podrá ser comercializado.	MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK	Vishay Siliconix
SQ2362ES-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3	Vishay Siliconix
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6	En el caso de las
FDC638P	MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6	En el caso de las
FDC658AP: las condiciones de los vehículos	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.	MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23	Vishay Siliconix
MGSF1N02LT1G	MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna, el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna será inferior al 0,5%.	MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.	MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3	Vishay Siliconix
BSS138NH6327XTSA2	MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3	Tecnologías Infineon
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades	MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv	IXYS
El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.	MOSFET N-CH 4500V 1A TO268	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros	MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B	IXYS
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:	MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B	IXYS
Se aplicará el método siguiente:	MOSFET N-CH 300V 94A TO268 y otros componentes de la misma	IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción	MOSFET N-CH 200V 110A TO264	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.	MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B	IXYS
Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en el anexo III.	MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 100V 16A a 268	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en el caso de los equipos de seguridad.	MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3	En el caso de las
El número de unidades de producción	MOSFET P-CH 600V 16A TO268 y otros componentes de energía	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 200V 16A TO268	IXYS
FDH44N50	MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3	En el caso de las
El contenido de nitrato de sodio en el agua es:	MOSFET P-CH 500V 11A TO247	IXYS
Se aplicará el método siguiente:	MOSFET N-CH 100V 200A TO247 y otros dispositivos de transmisión de energía	IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 1000V 4A TO263	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC	Tecnologías Infineon
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 100V 195A hasta 247AC	Tecnologías Infineon
Se aplican las siguientes medidas:	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263	IXYS
Se aplican las siguientes medidas:	MOSFET P-CH 500V 10A TO263	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos	MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 y sus componentes	En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo	MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3	En el caso de las
FCB20N60FTM	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK	En el caso de las
Se aplicará el método IRFP9240PBF.	MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3	Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 1000V 400MA hasta 252AA	IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades	MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN	En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de la norma IRFP240PBF	MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3	Vishay Siliconix
SUM45N25-58-E3	MOSFET N-CH 250V 45A TO263	Vishay Siliconix
Se aplican las siguientes medidas:	MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad	En el caso de las
FDB15N50	MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK	En el caso de las
FQP27P06	MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones	MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
IRF530PBF: las empresas de servicios de telecomunicaciones	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB	Vishay Siliconix

134 135 136 137 138

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales