Filtros
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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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PD84001 |
FET RF 18V 870 MHz
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STMicroelectrónica
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PD85004 |
FET RF 40V 870MHZ
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STMicroelectrónica
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Se trata de una serie de pruebas. |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1 y el resto de los componentes.5
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6S9045NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de la siguiente: |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
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NXP EE.UU. Inc.
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DU28200M |
Transistores, MOSFET, 200W, 28V, 2-175
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Soluciones tecnológicas MACOM
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NE3515S02-T1C-A |
HJ SUPER BAJO RUIDO PSEUDOMORFO
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El CEL
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PD55003-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
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STMicroelectrónica
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MRFE6VP61K25HR5 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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VRF2933MP |
MOSFET RF N-CANAL 50V M177
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Tecnología de microchips
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Las condiciones de los productos |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF6VP3450HR5 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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AFT09MS031NR1 |
FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6VP100HR5 |
MOSFET de RF LDMOS 50V NI780-4
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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Las demás: |
FET RF N-CH 500V 14A a 247
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Tecnología de microchips
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AFT27S006NT1 |
MOSFET de RF LDMOS 28V PLD1.5W
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6VP6300HR5 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
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NXP EE.UU. Inc.
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DRC5114E0L |
Trans Prebias NPN 150 MW SMINI3
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Componentes electrónicos de Panasonic
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Se trata de una prueba de la complejidad. |
Trans Prebias PNP 200 MW SC59-3
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Diodos incorporados
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DTC114EUA |
SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
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Tecnología Yangjie
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DTC114YUA |
Transistores - Bipolares (BJT) - Si
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Tecnología Yangjie
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DTC144EUA |
SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
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Tecnología Yangjie
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DTC124EUA |
SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
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Tecnología Yangjie
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Se trata de un artículo de la Ley n.o 108/1999. |
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
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En el caso de las
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DTB123YKT146 |
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTC123YETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTC124XETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTC123EETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTC124EETL: el número de unidades de producción |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTC044EMT2L |
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor no deberá exceder el valor de las emision
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Semiconductor de Rohm
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DTC143ZU3HZGT106 |
DTC143ZU3HZG es una transición digital
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Semiconductor de Rohm
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DTA114EMT2L |
Trans Prebias PNP 150 MW VMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTA143ZETL y sus componentes |
Trans Prebias PNP 150 MW EMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTA114TKAT146 y sus componentes |
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTD143EKT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTC144EEBTL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3F
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Semiconductor de Rohm
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PDTB114EUX |
Trans Prebias PNP 0,425 W
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Nexperia EE.UU. Inc.
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DTC123EUAT106 |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Trans Prebias NPN 0,425 W
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Nexperia EE.UU. Inc.
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DTC144EUAT106 (en inglés) |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
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Semiconductor de Rohm
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PDTB113ZT,215 |
Trans Prebias PNP 50V a 236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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DTA114YUAT106 |
Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
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Semiconductor de Rohm
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PDTA124ET,215 |
Trans Prebias PNP 50V a 236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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DTC143ZETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Semiconductor de Rohm
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DTC124EKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Semiconductor de Rohm
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