Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
18mOhm @ 9A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (máximo):
±25V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
741 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-SO
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9A (Ta)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMN3030
Introducción
N-Canal 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Montado en la superficie 8-SO
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