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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDMS7672 y sus componentes |
MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8PQFN
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En el caso de las
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FDT86246 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías |
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
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En el caso de las
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FDS86242 y otros |
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
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En el caso de las
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Se trata de una serie de productos que se fabrican en el interior de una fábrica. |
MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
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Vishay Siliconix
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BUK9M10-30EX |
MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
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Nexperia EE.UU. Inc.
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Semiconductor de Rohm
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Si el producto no es compatible con la norma ISO 7638:2003, se aplicará el procedimiento siguiente: |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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Vishay Siliconix
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DMT10H009SPS-13 |
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
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Diodos incorporados
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FQD19N10TM |
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
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Nexperia EE.UU. Inc.
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SIB452DK-T1-GE3 y sus componentes |
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
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Vishay Siliconix
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea |
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
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Vishay Siliconix
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DMP4015SSS-13 |
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
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Diodos incorporados
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SI4403CDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
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Vishay Siliconix
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FDS6690A: el tipo de vehículo |
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
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En el caso de las
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FDMS7698 y sus derivados |
MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
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En el caso de las
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DMP45H4D9HK3-13 |
MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
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Diodos incorporados
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%. |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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ZXMP6A17E6QTA |
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
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Diodos incorporados
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
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Diodos incorporados
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SQ2325ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
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Vishay Siliconix
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FDC658P |
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
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En el caso de las
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de pasajeros de las categorías A y B. |
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
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Vishay Siliconix
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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FQD13N06TM |
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
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En el caso de las
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El PMV35EPER |
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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FDMC8878 |
MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto i
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En el caso de las
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Las condiciones de las condiciones de trabajo se determinarán en el anexo I. |
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 20% en el caso de las emisiones de CO2. |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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DMP2021UFDE-7 |
MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
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Diodos incorporados
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DMP3050LVT-7 |
MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 y el resto de los componentes
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Diodos incorporados
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado. |
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de ensayo. |
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN y otros componentes de los mismos
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
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Nexperia EE.UU. Inc.
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DMPH6250SQ-7 |
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
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Diodos incorporados
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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: |
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de la DMN2058U-7. |
MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
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Diodos incorporados
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K
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Diodos incorporados
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Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
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Diodos incorporados
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NX7002AKVL |
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga. |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
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IXYS
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
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Diodos incorporados
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