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Se aplicará el procedimiento siguiente:

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FDMS5361L: el número de unidad

FDMS5361L datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de segur

UPA2660T1R-E2-AX datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Renesas Electronics America stock available at Tanssion

DMTH4014LPDQ-13 y otras sustancias

DMTH4014LPDQ-13 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) stock available at Tanssion

Las partidas 1 y 2 no se aplicarán.

RF1S540 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

VK165-007T

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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

QS6K21FRATR datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ROHM Semiconductor stock available at Tanssion

Las demás partidas del presente Reglamento se entenderán modificadas en lo sucesivo:

CMSBN4612-HF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Comchip Technology stock available at Tanssion

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

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parte #	Descripción	fabricante
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF y otros componentes de los mismos	Tecnologías Infineon
IXTA1N100	MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263	IXYS
Se aplican las siguientes medidas:	MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247	IXYS
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la	MOSFET N-CH 40V 19A 8SO	Vishay Siliconix
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto inv	Vishay Siliconix
2SJ650	MOSFET P-CH 60V 12A TO220ML	En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6	Semiconductor de Rohm
DMP6110SSDQ-13	MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO	Diodos incorporados
ZXMP10A13FTA	MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3	Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP	Diodos incorporados
DMP2077UCA3-7	MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3	Diodos incorporados
DMP2160UW-7	MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323	Diodos incorporados
BSS138P,215	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3	En el caso de las
DMN65D8L-7	MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23	Diodos incorporados
El número de unidades de producción es:	MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA	IXYS
Se aplicarán las siguientes medidas:	MOSFET N-CH 600V 42A TO247G	Semiconductor de Rohm
IXTH50P10	MOSFET P-CH 100V 50A TO247	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 600V 22A TO3P	IXYS
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3	Vishay Siliconix
Se aplican las siguientes medidas:	MOSFET P-CH 200V 24A TO247	IXYS
BUK9880-55A/CUX: el precio de venta es el precio de venta.	MOSFET N-CH 55V 7A SOT223	Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3	Semiconductor de Rohm
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.	MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3	Semiconductor de Rohm
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.	MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN	En el caso de las
Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN	En el caso de las
El número de unidades de seguridad de la aeronave es el siguiente:	MOSFET P-CH 100V 170A TO264	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.	IXYS
El número de unidades de seguridad de la aeronave es el siguiente:	MOSFET N-CH 300V 72A TO247	IXYS
El número de unidades de producción	MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD	IXYS
Las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.	MOSFET N-CH 600V 76A TO247 y el resto de los componentes	Semiconductor de Rohm
Los datos de las pruebas de seguridad de las aeronaves de las categorías IIa, IIIb y IIIb se utilizarán para determinar si la aeronave está en condiciones de cumplir las condiciones siguientes:	MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC	Vishay Siliconix
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.	MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB	IXYS
FCPF16N60	MOSFET N-CH 600V 16A TO220F	En el caso de las
BUK7212-55B,118	MOSFET N-CH 55V 75A DPAK	Nexperia EE.UU. Inc.
Las condiciones de los certificados de conformidad con el presente Reglamento se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.	MOSFET N-CH 600V 11A TO220F	En el caso de las
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de las categorías M1 y M2.	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56	En el caso de las
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:	MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD	IXYS
FQA24N60: las condiciones de los equipos de ensayo	MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN	En el caso de las
Se aplicará a los productos de las categorías IIa, IIIb y IV.	MOSFET N-CH 500V 24A TO3P	IXYS
Se trata de una serie de productos que se fabrican en el interior de una fábrica.	MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33	Nexperia EE.UU. Inc.
BUK9Y38-100E,115	MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicarán los siguientes requisitos:	MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de una serie de productos que se fabrican a partir de productos de la industria de la construcción.	MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33	Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un sistema de control de velocidad.	MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor	MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT	Semiconductor de Rohm
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo.	MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK	Vishay Siliconix

135 136 137 138 139

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales