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transistores
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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El número de unidades de seguridad de la aeronave es el siguiente: |
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
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IXYS
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
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IXYS
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En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones: |
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
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En el caso de las
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FDP2552 y otros |
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
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En el caso de las
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Las condiciones de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo |
MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 1000V 18A hasta 247AD
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IXYS
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FCP20N60: las condiciones de los productos |
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
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En el caso de las
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo. |
MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB
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Tecnologías Infineon
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IRF640PBF: el número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo |
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
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Vishay Siliconix
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IRLB8314PBF: las condiciones de los servicios de los Estados miembros |
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
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Tecnologías Infineon
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50N06 |
TO-252 MOSFETS ROHS
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- ¿Qué quieres?
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El valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de las categorías M1 y N2 será el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de las categorías M2 y N3. |
SOT-323, MOSFET
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Panjit Internacional Inc.
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El número de unidades de seguridad de la aeronave es el siguiente: |
MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD
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IXYS
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los vehículos de motor. |
MOSFET N-CH 650V 34A a 220
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IXYS
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 250V 76A TO263
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IXYS
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
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Renesas Electronics América Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 60V 5DFN
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En el caso de las
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FDB2710 |
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FCPF11N60NT |
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
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En el caso de las
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FDMS5672 y sus componentes |
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
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En el caso de las
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FCPF13N60NT |
MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías IIa y IIIa |
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
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IXYS
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Las condiciones de las pruebas de ensayo |
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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FDP39N20 |
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
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En el caso de las
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SUM110P06-07L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
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Vishay Siliconix
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El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable. |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
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Vishay Siliconix
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FDMS86181 y sus derivados |
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
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En el caso de las
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FDMS86300 |
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
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En el caso de las
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FDMC8462 |
MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
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En el caso de las
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El DMTH8003SPS-13 |
MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
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Diodos incorporados
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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Semiconductor de Rohm
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Se trata de una enfermedad de transmisión genética. |
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
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STMicroelectrónica
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Se trata de una prueba de la FDA18N50. |
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
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En el caso de las
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SIR800DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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FDP55N06 y sus componentes |
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
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En el caso de las
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Semiconductor de Rohm
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IRF530A |
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
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En el caso de las
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El DMTH4004SPSQ-13 |
MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
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Diodos incorporados
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SIR158DP-T1-GE3 El tratamiento de las muestras |
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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No se puede obtener información adicional. |
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 y sus componentes
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En el caso de las
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SIR876ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
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Vishay Siliconix
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A MOSFET de señal pequeña
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Semiconductor de Rohm
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos. |
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
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Vishay Siliconix
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