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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga

FQT1N60CTF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

STMFS4854NST1G: el número de unidades de seguridad de las que se trate.

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2N7002K36

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Los datos de los datos de los Estados miembros se publicarán en el Diario Oficial del Reino Unido.

UPA2590T1H-T2-AT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Se trata de un documento de identificación de la autoridad competente de un Estado miembro.

SIZ980BDT-T1-GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Vishay / Siliconix stock available at Tanssion

Las ayudas a la inversión

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MCH3360-TL-E-ON

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Se aplicará el procedimiento de ensayo.

NTMFD5C462NLT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor stock available at Tanssion

DMT47M2LDVQ-13

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FDMC0208

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parte #	Descripción	fabricante
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.	MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23	Vishay Siliconix
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3	Vishay Siliconix
Se aplicarán las siguientes condiciones:	MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3	En el caso de las
FDC655BN: las condiciones de los productos	MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6	En el caso de las
NTR4171PT1G	MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.	MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23- 3	Vishay Siliconix
Si el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero no es compatible con el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero debe utilizarse.	MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3	Vishay Siliconix
FDN337N	MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3	En el caso de las
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán adoptar medidas de salvaguardia.	MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3	En el caso de las
BSS138LT1G	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 y sus componentes	En el caso de las
No se puede obtener información adicional.	MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3	En el caso de las
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones.	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3	En el caso de las
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades	MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3	IXYS
SUM110P06-08L-E3 Las condiciones de los productos incluidos en el anexo I se determinarán en el anexo II.	MOSFET P-CH 60V 110A TO263	Vishay Siliconix
FQP12N60C	MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3	En el caso de las
SUM55P06-19L-E3	MOSFET P-CH 60V 55A TO263 y otros	Vishay Siliconix
Se aplicará a las empresas de servicios de telecomunicaciones.	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	En el caso de las
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET P-CH 40V 50A TO252	Vishay Siliconix
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos	MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3	En el caso de las
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el registro de los equipos de ensayo de ensayo.	MOSFET P-CH 80V 50A TO252 y otros componentes	Vishay Siliconix
Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo II.	MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F	En el caso de las
Las condiciones de los servicios de seguridad de los aeropuertos	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK	Vishay Siliconix
FDMS86101 y sus derivados	MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN	En el caso de las
Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 y también se utiliza para la fabricación de otros productos.	Vishay Siliconix
Las condiciones de los controles de seguridad deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 500V 8A TO220F	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.	MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.	MOSFET N-CH 60V 6A 8SO	Vishay Siliconix
FDMC7660: las condiciones de los productos	MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33	En el caso de las
El número de unidades de producción de los productos de la serie 1 se determinará en función de las condiciones de producción.	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
El número de unidades de producción será el siguiente:	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.	Se aplicarán las siguientes medidas:	Vishay Siliconix
El número de personas a las que se refiere el presente Reglamento es el siguiente:	MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK	Vishay Siliconix
FDS3692: las condiciones de los productos	MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK	Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 y otros componentes	Vishay Siliconix
Los resultados de las pruebas de detección se deben evaluar en función de los resultados obtenidos.	MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto in	Vishay Siliconix
DMP3010LK3-13	MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3	Diodos incorporados
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
TP0610K-T1-GE3	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3	Vishay Siliconix
RUM003N02T2L	MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3	Semiconductor de Rohm
DMP2165UW-7	MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R	Diodos incorporados
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades	MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB	IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 650V 120A TO264	IXYS
Se aplicará el método siguiente:	MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3	IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA	IXYS
IXTH12N150	MOSFET N-CH 1500V 12A TO247	IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P	IXYS

132 133 134 135 136

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales