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Las pruebas de seguridad se realizarán en el lugar de ensayo.

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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

SQJB46ELP-T1_GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Vishay / Siliconix stock available at Tanssion

Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

SFT1405-TL-E datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea y de los Estados miembros de la Unión Europea que se utilicen para la evaluación de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea.

UPA2590T1H-T1-AT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad.

FS30AS-2-T13#B00 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

IRF7331TRPBF

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Se trata de un avión de combate de la categoría "A".

FS50KM-2-AX#204 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo.

IRF640ACP001 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

UPA3753GR-E1-AT: el contenido de la sustancia en el producto debe ser igual o superior a la sustancia en el producto.

UPA3753GR-E1-AT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Renesas Electronics America stock available at Tanssion

DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) stock available at Tanssion

parte #	Descripción	fabricante
BUK7M8R5-40HX	MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33	Nexperia EE.UU. Inc.
IRF510PBF: el número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB	Vishay Siliconix
BUK9Y25-60E,115	MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	MOSFET N-CH 75V 56A DPAK	Tecnologías Infineon
RJP020N06T100	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 y el sistema de transmisión de energía	Semiconductor de Rohm
En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características:	MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON	Las acciones de Texas Instruments
El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría N1 será el siguiente:	MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO	Vishay Siliconix
SI4896DY-T1-E3	MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO	Vishay Siliconix
DMP4013LFGQ-7	MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333	Diodos incorporados
Se aplicará el método de ensayo.	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3	Semiconductor de Rohm
Si se cumplen las condiciones siguientes:	MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8	Vishay Siliconix
BUK98180-100A/CUX	MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223	Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3	Semiconductor de Rohm
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB	Tecnologías Infineon
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión	MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3	Semiconductor de Rohm
DMP6180SK3Q-13	MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252	Diodos incorporados
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de gestión de datos	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK y el resto de los componentes	Vishay Siliconix
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.	MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3	Vishay Siliconix
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.	MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB	Tecnologías Infineon
Las condiciones de los contratos de trabajo	MOSFET N-CH 500V 4.5A hasta 220AB	Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6	Nexperia EE.UU. Inc.
Las condiciones de los servicios de la Comisión	MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB	Vishay Siliconix
Se debe utilizar el mismo tratamiento de la misma.	MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Se aplicará el método de ensayo.	MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve	Nexperia EE.UU. Inc.
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de los vehículos, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de los vehículos.	MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP	Vishay Siliconix
Se aplicará el método de ensayo.	MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
BST82, ¿qué quieres decir?215	MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3	Semiconductor de Rohm
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad.	MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicarán los siguientes requisitos:	MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
El PMV16XNR	MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
NX138AKR	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán adoptar medidas de salvaguardia.	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75	En el caso de las
RK7002BMT116 y sus componentes	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3	Semiconductor de Rohm
2SK3018T106 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B se aplican a los vehículos de las categorías A y B.	MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3	Semiconductor de Rohm
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 100V 200A TO264	IXYS
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD	IXYS
Si el número de unidades de producción es superior al número de unidades de producción, el número de unidades de producción será igual al número de unidades de producción.	MOSFET P-CH 30V 13A 8SO	Vishay Siliconix
DMP2045U-7	MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23	Diodos incorporados
BSS138AKAR	MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
El PMV164ENEAR	MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F	Semiconductor de Rohm
BUK9M9R5-40HX	MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33	Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un producto de la familia de los derivados.	MOSFET P-CH 150V 44A TO263	IXYS
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
BUK9875-100A/CUX	MOSFET N-CH 100V 7A SOT223	Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	Vishay Siliconix
Se aplicará el método IRFP450PBF.	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3	Vishay Siliconix
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3	Nexperia EE.UU. Inc.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B	MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B	IXYS

137 138 139 140 141

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales