Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
3-SMD, Flat Leads
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1,5 V, 4,5 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±10V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1860 pF @ 6 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TUMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
800mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RZF030
Introducción
P-canal 12 V 3A (Ta) 800 mW (Ta) Montado de superficie TUMT3
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.
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