Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
3-SMD, Flat Leads
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1,5 V, 4,5 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±10V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1860 pF @ 6 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TUMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
800mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RZF030
Introducción
P-canal 12 V 3A (Ta) 800 mW (Ta) Montado de superficie TUMT3
Related Products

RSD050N10TL
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3

Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

Se aplicarán las siguientes medidas:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP

RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252

RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252

Se aplicará el procedimiento de ensayo.
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET

RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252

Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Imagen | parte # | Descripción | |
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![]() |
RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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