Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
800mV @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
26 pF @ 10 V
Series:
-
Vgs (máximo):
±8V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de gestión de datos.
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
0.9V, 4.5V
Power Dissipation (Max):
150mW (Ta)
Package / Case:
SC-85
Drain to Source Voltage (Vdss):
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RU1J002
Introducción
N-canal 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Montado de superficie UMT3F
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RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
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RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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