Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 2.5mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
42 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
208mOhm @ 5A, 18V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
398 pF @ 800 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
17A (Tc)
Power Dissipation (Max):
103W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Número del producto de base:
Las condiciones de los requisitos de seguridad
Introducción
N-canal 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) a través del agujero TO-247N
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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Se aplicará el procedimiento de ensayo.
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
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El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.
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Las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor y de los vehículos de motor
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