Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 13.3mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-4
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 27A, 18V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
paquete:
El tubo
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (máximo):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1526 pF @ 500 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247-4L
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
70A (Tc)
Power Dissipation (Max):
262W
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3030
Introducción
N-canal 650 V 70A (Tc) 262W a través del agujero TO-247-4L
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RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
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RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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