RUR040N02TL
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.3V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Envase / estuche:
SC-96
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 4A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±10V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
680 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TSMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RUR040
Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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RSD050N10TL |
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
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RD3H200SNTL1 |
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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