Se aplicará el método de clasificación de los productos.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
SC-70, SOT-323
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4Ohm @ 200mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
UMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
200mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RHU002
Introducción
Se aplicará el método de medición de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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