Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 3.33mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
156mOhm @ 6.7A, 18V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
Paquete:
El tubo
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (máximo):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
460 PF @ 500 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
Power Dissipation (Max):
103W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3120
Introducción
N-canal 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) a través del agujero TO-247N
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RUM003N02T2L
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RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Se aplicará el procedimiento siguiente:
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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