El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
68 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
12.6mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3600 pF @ 10 V
Tipo de montaje:
Instalación en la superficie
Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-POE
Mfr:
Rohm Semiconductor
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
10A (TA)
Power Dissipation (Max):
650mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RRH100
Introducción
P-Canal 30 V 10A (Ta) 650mW (Ta) Montaje de superficie 8-SOP
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RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252

RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252

Se aplicará el procedimiento de ensayo.
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET

RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252

Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Imagen | parte # | Descripción | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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