El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
12 pF @ 10 V
Series:
-
Vgs (Max):
±10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Supplier Device Package:
VML1006
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2Ohm @ 150mA, 4.5V
Mfr:
Rohm Semiconductor
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.2V, 4.5V
Power Dissipation (Max):
100mW (Ta)
Envase / estuche:
Las condiciones de los servicios de la Comisión son las siguientes:
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
180mA (TA)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RV2C002
Introducción
N-canal 20 V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Montado de superficie VML1006
Productos relacionados
RSD050N10TL
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Se aplicarán las siguientes medidas:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
|
|
|
|
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
|
|
|
|
RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
|
|
|
|
Se aplicarán las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
|
|
|
|
RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
|
|
|
|
RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
|
|
|
|
RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
|
|
|
|
RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: