Se aplicará el método de ensayo.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerUDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
21.7mOhm @ 7.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Mounting Type:
Surface Mount
Serie:
-
Supplier Device Package:
HUML2020L8
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7.5A (Ta)
Disipación de poder (máxima):
2W (TA)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RF4E075
Introducción
P-Canal 30 V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Montado de superficie HUML2020L8
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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