Productos de semiconductores discretos para la venta

parte #	Descripción	fabricante
2N7002BK,215	MOSFET N-CH 60V 350MA hasta 236AB	Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicarán las siguientes medidas:	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F	Semiconductor de Rohm
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	SICFET N-CH 1200V 72A TO247N	Semiconductor de Rohm
IRFR7440TRPBF	MOSFET N-CH 40V 90A DPAK	Tecnologías Infineon
SUD19P06-60-GE3 y sus derivados	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252	Vishay Siliconix
SIR426DP-T1-GE3 (en inglés)	MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
No se puede obtener información adicional.	MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4	En el caso de las
Los datos de identificación de las personas afectadas deberán estar disponibles en el SIS.	MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8	Vishay Siliconix
Si el producto no es compatible con el mercado, el producto debe ser comercializado en el mercado.	MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S	Vishay Siliconix
Si el número de unidades de producción es superior a 0,01	MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 0,9%.	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3	Vishay Siliconix
DMP6350S-7 y sus componentes	MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23	Diodos incorporados
DMP3056LDM-7	MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26	Diodos incorporados
No obstante, la Comisión considera que la Comisión no puede adoptar ninguna medida para evitar que se produzca una violación de los derechos humanos.	MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.	MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323	Vishay Siliconix
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23	Vishay Siliconix
NTR4101PT1G	MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F	Semiconductor de Rohm
Las partidas 1 y 2 se aplicarán a las partidas 1 y 2 del presente anexo.	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3	Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones.	DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A	Tecnología de microchips
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A	Tecnología de microchips
Se trata de un sistema de control de velocidad.	DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL	Tecnología de microchips
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF	Tecnología de microchips
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Diodo genético puro 200V 3A axial	Tecnología de microchips
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D	Tecnología de microchips
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.	DIODE GP 400V 60A TO247AC	Vishay General Semiconductor - División de diodos
RURG8060	DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-2	En el caso de las
RURG80100	DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247-2	En el caso de las
RHRG5060	Diodo de generación de energía 600V 50A TO247-2	En el caso de las
El objetivo es el siguiente:	DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK	En el caso de las
RHRP3060: las condiciones de los productos	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2L	En el caso de las
RHRP30120: las condiciones de los productos	El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono.	En el caso de las
LXA15T600	El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.	Integraciones de poder
RHRP8120	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L	En el caso de las
BZD27C24P	SUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODE	Taiwán Semiconductor Corporation
Los demás elementos	CA3046 - GENERAL PURPOSE NPN TRA	Rochester Electronics, LLC. El nombre de la empresa es Rochester.
Las demás:	DIODE, LOW LEAKAGE, 200MA, 75V,	Semiconductor de buen arco
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF MOSFET N-CHANNEL DE150	IXYS-RF
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF MOSFET N-CHANNEL DE475	IXYS-RF
Se trata de un producto de fabricación que se utiliza para la fabricación de productos químicos.	RF MOSFET N-CHANNEL DE375	IXYS-RF
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	IXYS-RF
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 1500V 4A TO263	IXYS
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.	MOSFET N-CH 1200V 6A hasta 247AD	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.	MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B	IXYS
Las condiciones de los vehículos de las categorías IIa y IIIa	MOSFET N-CH 850V 50A TO247	IXYS
Se trata de una prueba de la complejidad.	MOSFET N-CH 500V 22A TO3P	IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 250V 76A TO3P, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía	IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B	IXYS

144 145 146 147 148

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales