Filtros
Filtros
Transistores IGBT
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo I. |
Transistores IGBT con ánodo acortado TM IGBT
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
HGT1S10N120BNST |
Transistores IGBT de canal N IGBT de la serie NPT 1200V
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
IXXH50N60C3D1 |
Transistores IGBT XPT IGBT Clase C3 600V/100Amp Coempaquetado
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXBH12N300 |
Transistores IGBT
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistores IGBT 2500V/95A, HV XPT IGBT también equipados
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IKW75N65ES5 |
IGBT Transistores Trenchstop 5 IGBT
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
IXBK55N300 |
Transistores IGBT
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IKW40N120T2 |
Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 1200V 40A
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
El número de unidades de producción será el siguiente: |
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FGL40N120AND |
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IKP20N60T |
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el código de identificación FID60-06. |
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXBX75N170 |
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Se aplicarán los siguientes requisitos: |
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IKW25N120H3 |
|
Tecnologías Infineon
|
|
|