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Productos de semiconductor discretos

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
DMP4015SSS-13

DMP4015SSS-13

MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodos incorporados
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Vishay Siliconix
FDS6690A: el tipo de vehículo

FDS6690A: el tipo de vehículo

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
En el caso de las
FDMS7698 y sus derivados

FDMS7698 y sus derivados

MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
En el caso de las
DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13

MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
Diodos incorporados
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
ZXMP6A17E6QTA

ZXMP6A17E6QTA

MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33
Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Diodos incorporados
SQ2325ES-T1_GE3

SQ2325ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Vishay Siliconix
FDC658P

FDC658P

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
En el caso de las
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de pasajeros de las categorías A y B.

Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de pasajeros de las categorías A y B.

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.

Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
FQD13N06TM

FQD13N06TM

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
En el caso de las
El PMV35EPER

El PMV35EPER

MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
FDMC8878

FDMC8878

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto i
En el caso de las
Las condiciones de las condiciones de trabajo se determinarán en el anexo I.

Las condiciones de las condiciones de trabajo se determinarán en el anexo I.

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 20% en el caso de las emisiones de CO2.

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 20% en el caso de las emisiones de CO2.

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
DMP2021UFDE-7

DMP2021UFDE-7

MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Diodos incorporados
DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7

MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 y el resto de los componentes
Diodos incorporados
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicará el método de ensayo.

Se aplicará el método de ensayo.

MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN y otros componentes de los mismos
Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Nexperia EE.UU. Inc.
DMPH6250SQ-7

DMPH6250SQ-7

MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
Diodos incorporados
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Semiconductor de Rohm
Se trata de la DMN2058U-7.

Se trata de la DMN2058U-7.

MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K
Diodos incorporados
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Diodos incorporados
NX7002AKVL

NX7002AKVL

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.

El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 150V 96A TO268
IXYS
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF y otros componentes de los mismos
Tecnologías Infineon
IXTA1N100

IXTA1N100

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
IXYS
Se aplican las siguientes medidas:

Se aplican las siguientes medidas:

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
IXYS
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la

MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Vishay Siliconix
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto inv
Vishay Siliconix
2SJ650

2SJ650

MOSFET P-CH 60V 12A TO220ML
En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Semiconductor de Rohm
DMP6110SSDQ-13

DMP6110SSDQ-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Diodos incorporados
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Diodos incorporados
DMP2077UCA3-7

DMP2077UCA3-7

MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Diodos incorporados
DMP2160UW-7

DMP2160UW-7

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
Diodos incorporados
BSS138P,215

BSS138P,215

MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
En el caso de las
138 139 140 141 142