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Productos de semiconductor discretos

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
IXYS
El número de unidades de seguridad de la aeronave

El número de unidades de seguridad de la aeronave

MOSFET N-CH 500V 44A hasta 247AD
IXYS
Las demás sustancias:

Las demás sustancias:

MOSFET P-CH 600V 10A TO247
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 150V 120A TO268
IXYS
Se aplicará el método de evaluación de los resultados.

Se aplicará el método de evaluación de los resultados.

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Vishay Siliconix
Se aplicará el método de evaluación de la calidad.

Se aplicará el método de evaluación de la calidad.

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, para el cual se utiliza el módulo N-CH.
Vishay Siliconix
El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.

El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Semiconductor de Rohm
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.

MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Semiconductor de Rohm
FDC645N

FDC645N

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
En el caso de las
PMZB350UPE,315

PMZB350UPE,315

MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3 y también
Nexperia EE.UU. Inc.
Los Estados miembros deberán establecer las normas de seguridad necesarias para garantizar el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el presente Reglamento.

Los Estados miembros deberán establecer las normas de seguridad necesarias para garantizar el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el presente Reglamento.

MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Se trata de un sistema de control de las emisiones.

MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Tecnologías Infineon
Las condiciones de las condiciones de ensayo

Las condiciones de las condiciones de ensayo

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Vishay Siliconix
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 32A hasta 264AA
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
STMicroelectrónica
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
IXYS
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
IRF9640 PBF

IRF9640 PBF

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
IRF610PBF: las condiciones de los servicios de seguridad

IRF610PBF: las condiciones de los servicios de seguridad

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Vishay Siliconix
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Vishay Siliconix
2SK1317-E

2SK1317-E

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Renesas Electronics América Inc.
Las condiciones de los contratos de servicios de transporte

Las condiciones de los contratos de servicios de transporte

MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP y otros componentes
Semiconductor de Rohm
IRFB7440PBF: las condiciones de los servicios de seguridad y seguridad

IRFB7440PBF: las condiciones de los servicios de seguridad y seguridad

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Tecnologías Infineon
Las condiciones de los controles de seguridad

Las condiciones de los controles de seguridad

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Vishay Siliconix
Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:

Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
IRF644PBF: las condiciones de las ayudas

IRF644PBF: las condiciones de las ayudas

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
Vishay Siliconix
Las condiciones de los servicios de seguridad son las siguientes:

Las condiciones de los servicios de seguridad son las siguientes:

MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Vishay Siliconix
El número de unidades de seguridad de la aeronave será el siguiente:

El número de unidades de seguridad de la aeronave será el siguiente:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros

Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros

MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Vishay Siliconix
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
Vishay Siliconix
IRL510PBF

IRL510PBF

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
Se aplicarán los siguientes requisitos:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia EE.UU. Inc.
No obstante lo dispuesto en el apartado 1,

No obstante lo dispuesto en el apartado 1,

MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga ser
Semiconductor de Rohm
BUK7M8R5-40HX

BUK7M8R5-40HX

MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Nexperia EE.UU. Inc.
IRF510PBF: el número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo

IRF510PBF: el número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
BUK9Y25-60E,115

BUK9Y25-60E,115

MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Nexperia EE.UU. Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Tecnologías Infineon
RJP020N06T100

RJP020N06T100

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 y el sistema de transmisión de energía
Semiconductor de Rohm
En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características:

En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características:

MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Las acciones de Texas Instruments
El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría N1 será el siguiente:

El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría N1 será el siguiente:

MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Vishay Siliconix
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Vishay Siliconix
DMP4013LFGQ-7

DMP4013LFGQ-7

MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodos incorporados
Se aplicará el método de ensayo.

Se aplicará el método de ensayo.

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Semiconductor de Rohm
Si se cumplen las condiciones siguientes:

Si se cumplen las condiciones siguientes:

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
BUK98180-100A/CUX

BUK98180-100A/CUX

MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Semiconductor de Rohm
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:

MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Tecnologías Infineon
140 141 142 143 144