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transistores

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
IXYS
El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías IIa y IIIa

El número de unidades de producción de los vehículos de las categorías IIa y IIIa

IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
IXYS
El número de unidades de producción es:

El número de unidades de producción es:

Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
IXYS
MIXA40WB1200TED

MIXA40WB1200TED

IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:

IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B
IXYS
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
IXYS
DTC123JKA

DTC123JKA

Se trata de un sistema de transmisión de datos basado en datos.
Rectron EE.UU.
DTC123JUA

DTC123JUA

TRANS PRE-BIASED 200MA SOT-323
Rectron EE.UU.
STP120N4F6

STP120N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
STMicroelectrónica
Si el número de unidades de producción es superior al número de unidades de producción, el número de unidades de producción será igual al número de unidades de producción.

Si el número de unidades de producción es superior al número de unidades de producción, el número de unidades de producción será igual al número de unidades de producción.

MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Vishay Siliconix
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
En el caso de las
BSS138 y BSS139

BSS138 y BSS139

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
En el caso de las
En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características:

En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características:

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Las acciones de Texas Instruments
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos

MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
En el caso de las
FDMS2672: el número de unidad

FDMS2672: el número de unidad

MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP, para el cual se utilizará el sistema de transmisión de energía de la
En el caso de las
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodos incorporados
ZVP3310FTA

ZVP3310FTA

MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Diodos incorporados
El número de personas afectadas por el accidente

El número de personas afectadas por el accidente

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Vishay Siliconix
Las condiciones de los contratos de servicios de transporte

Las condiciones de los contratos de servicios de transporte

MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros

Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
FDS8880: el número de unidades de producción

FDS8880: el número de unidades de producción

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
En el caso de las
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles para su uso.

Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles para su uso.

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 y el resto de los componentes
Tecnologías Infineon
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodos incorporados
2N7002K-7

2N7002K-7

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodos incorporados
Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes:

Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes:

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
En el caso de las
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.

El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.

MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
DMN2300U-7

DMN2300U-7

MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Diodos incorporados
FDMS86163P

FDMS86163P

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
En el caso de las
SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3

MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:

Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
NDT3055L

NDT3055L

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
En el caso de las
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos.

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos.

MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
En el caso de las
FDMC7692S: las condiciones de los productos

FDMC7692S: las condiciones de los productos

MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
En el caso de las
Las condiciones de los servicios de seguridad de la Unión

Las condiciones de los servicios de seguridad de la Unión

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Vishay Siliconix
El PMV100EPAR

El PMV100EPAR

MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Diodos incorporados
El número de unidades de producción será el siguiente:

El número de unidades de producción será el siguiente:

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad.

Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad.

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
DMP2022LSS-13 y sus componentes

DMP2022LSS-13 y sus componentes

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Diodos incorporados
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos de ensayo.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos de ensayo.

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
DMP2120U-7

DMP2120U-7

MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 y el resto de los componentes
Diodos incorporados
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodos incorporados
RUM002N02T2L

RUM002N02T2L

MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Semiconductor de Rohm
El número de unidades de producción será el siguiente:

El número de unidades de producción será el siguiente:

SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Semiconductor de Rohm
FDC602P

FDC602P

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
En el caso de las
ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodos incorporados
141 142 143 144 145