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Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de CO2 en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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El número de la autoridad competente es:

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Se aplicará el procedimiento de ensayo.

MSCC60VRM99CT3AG datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Roving Networks / Microchip Technology stock available at Tanssion

Las demás partidas del anexo II

SC8673010L datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Panasonic stock available at Tanssion

NTMFD5875NLT1G

NTMFD5875NLT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor stock available at Tanssion

Se aplicará el procedimiento siguiente:

CPH5617-TL-E datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Las condiciones de los datos de los datos de los Estados miembros son las siguientes:

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SI1029X-T1-GE3

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Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:

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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

ICL7667MTV/883B datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

parte #	Descripción	fabricante
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.	MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S	Vishay Siliconix
Se trata de una serie de productos que se fabrican en el interior de una fábrica.	MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver	Nexperia EE.UU. Inc.
Se trata de un sistema de control de la calidad.	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4	En el caso de las
BUK9Y65-100E,115	MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
El número de unidades de seguridad de la aeronave será el siguiente:	MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.	MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 y el resto de los componentes	Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
FQD13N06LTM	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.	MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles, el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles será igual al 0,5% en el caso de los combustibles fósiles.	MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3	Vishay Siliconix
Es el DMTH6016LPSQ-13	MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI	Diodos incorporados
Las condiciones de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3	Diodos incorporados
Si el vehículo no está equipado con un dispositivo de seguridad, el vehículo deberá ser equipado con un dispositivo de seguridad.	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3	Vishay Siliconix
Las condiciones de las pruebas de ensayo	MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23	En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse.	MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B	IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247-3	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.	MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B	IXYS
El número de unidades de producción	MOSFET N-CH 500V 40A TO268	IXYS
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:	MOSFET N-CH 300V 150A TO247	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en el caso de los equipos de seguridad.	MOSFET N-CH 75V 400A TO247AD	IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA	IXYS
IXTH80N65X2	MOSFET N-CH 650V 80A TO247	IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:	MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse.	MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD	IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB	Vishay Siliconix
Se aplicará el método siguiente:	MOSFET P-CH 500V 10A TO247	IXYS
FDA69N25	MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN	En el caso de las
FCB20N60TM	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK	En el caso de las
Se trata de un producto de la familia de los derivados.	MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN	En el caso de las
FQA70N10	MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN	En el caso de las
Se aplicará el método de ensayo.	MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN	En el caso de las
FDP060AN08A0	MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3	En el caso de las
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	MOSFET P-CH 60V 100A TO263	Renesas Electronics América Inc.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK	En el caso de las
SUM70101EL-GE3	MOSFET P-CH 100V 120A TO263	Vishay Siliconix
Las condiciones de los equipos de ensayo se especifican en el anexo I.	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 500V 800MA TO252	IXYS
El número de personas afectadas por el accidente	MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB	Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.	MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3	En el caso de las
SQJ469EP-T1_GE3	MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
NTD3D3D3D3D	MOSFET N-CH 800V 13A DPAK	En el caso de las
BUK9Y4R8-60E,115	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	Nexperia EE.UU. Inc.
FDS2734: las condiciones de los productos	MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC	En el caso de las
FDD3672	MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA	En el caso de las
SIR662DP-T1-GE3 y otros	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
NTD24N06LT4G	MOSFET N-CH 60V 24A DPAK	En el caso de las
SQJ409EP-T1_GE3	MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8	Vishay Siliconix

109 110 111 112 113

Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales