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FETs, MOSFETs

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
TK8S06K3L ((T6L1,NQ)

TK8S06K3L ((T6L1,NQ)

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
¿Qué es eso?

¿Qué es eso?

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Diodos incorporados
DMP4015SPSQ-13

DMP4015SPSQ-13

MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodos incorporados
RSR025P03TL

RSR025P03TL

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Semiconductor de Rohm
ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA

MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Diodos incorporados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Diodos incorporados
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor

MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
IXYS
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad

El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA
IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STMicroelectrónica
Las condiciones de los productos de la categoría II se establecen en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se establecen en el anexo II.

MOSFET N-CH 100V 170A TO268
IXYS
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD
IXYS
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 300V 69A hasta 247AD
IXYS
El número de unidades de seguridad de la aeronave es el siguiente:

El número de unidades de seguridad de la aeronave es el siguiente:

MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXYS
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
IXYS
Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se especifican en el anexo II.

MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
IXYS
Las condiciones de las pruebas de seguridad se determinarán en función de las características de las pruebas de seguridad.

Las condiciones de las pruebas de seguridad se determinarán en función de las características de las pruebas de seguridad.

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 para el uso en las instalaciones de producción
Vishay Siliconix
Se trata de un sistema de control de velocidad.

Se trata de un sistema de control de velocidad.

MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
STMicroelectrónica
STP20NM60FD

STP20NM60FD

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
STMicroelectrónica
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:

MOSFET N-CH 650V 22A TO247
IXYS
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.

MOSFET N-CH 650V 22A a 220
IXYS
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
IXYS
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los Estados miembros

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los Estados miembros

MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Tecnologías Infineon
FDMS8050

FDMS8050

MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 El sistema de transmisión de energía de los motores de combustión i
En el caso de las
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Se aplicarán las siguientes medidas:

Se aplicarán las siguientes medidas:

MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
Semiconductor de Rohm
El número de contacto es el siguiente: SIR873DP-T1-GE3

El número de contacto es el siguiente: SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
Si el número de datos es superior a 0, el número de datos debe ser igual al número de datos.

Si el número de datos es superior a 0, el número de datos debe ser igual al número de datos.

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 y sus componentes
Vishay Siliconix
Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad.

Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad.

MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Nexperia EE.UU. Inc.
SUD50N04-8M8P-4GE3 y sus componentes

SUD50N04-8M8P-4GE3 y sus componentes

MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Vishay Siliconix
Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de segur

Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de segur

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
SQSA12CENW-T1_GE3

SQSA12CENW-T1_GE3

El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor no deberá exceder el valor de las emision
Vishay Siliconix
FDMS7678 y sus componentes

FDMS7678 y sus componentes

MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
En el caso de las
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la NVD3055-150T4G-VF01

Se aplicará el método de ensayo de la norma de la NVD3055-150T4G-VF01

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
En el caso de las
BUK9M120-100EX

BUK9M120-100EX

MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Nexperia EE.UU. Inc.
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,01%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,01%.

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,01%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,01%.

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:

Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:

MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
En el caso de las
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el registro de los equipos de ensayo.

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el registro de los equipos de ensayo.

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
Las condiciones de los vehículos de la categoría M2

Las condiciones de los vehículos de la categoría M2

MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
IXYS
Las condiciones de los productos de la categoría II se establecen en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se establecen en el anexo II.

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXYS
Las condiciones de los productos de la categoría II se establecen en el anexo II.

Las condiciones de los productos de la categoría II se establecen en el anexo II.

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

MOSFET N-CH 600V 30A TO268
IXYS
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
IXYS
107 108 109 110 111