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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.

IPG20N10S4L35AATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

UPA2751GR-E1-AT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

SSM6N951L,EFF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation stock available at Tanssion

Se aplicará el procedimiento de ensayo.

IPG15N06S3L-45 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Rochester Electronics stock available at Tanssion

MIC5015BMTR

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Se trata de un sistema de control de las emisiones.

HS8K1TB datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ROHM Semiconductor stock available at Tanssion

Se aplicará el método siguiente:

AOTE32136C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Alpha and Omega Semiconductor, Inc. stock available at Tanssion

DMPH6050SPD-13 y sus componentes

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BUK9K25-40EX

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No obstante, la Comisión no ha adoptado ninguna decisión en este sentido.

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parte #	Descripción	fabricante
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:	MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA	IXYS
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	En el caso de las
El número de unidades de seguridad de la aeronave	MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264	IXYS
El número de unidades de producción	MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en el caso de los equipos de seguridad.	MOSFET N-CH 650V 80A TO247	IXYS
IXTH6N150	MOSFET N-CH 1500V 6A TO247	IXYS
IXFH60N65X2	MOSFET N-CH 650V 60A TO247	IXYS
MSC080SMA120B	SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3	Tecnología de microchips
Las condiciones de los productos de la categoría II	MOSFET N-CH 1500V 3A TO263	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.	MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN	En el caso de las
El número de unidades de producción	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros	MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD	IXYS
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:	MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD	IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC	Tecnologías Infineon
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos	MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC	Tecnologías Infineon
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos	MOSFET N-CH 100V 200A TO3P	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros	MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P	IXYS
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse.	MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN	En el caso de las
STFW3N150	MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT	STMicroelectrónica
Los Estados miembros deberán establecer un marco para la aplicación de las disposiciones del presente Reglamento.	MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB	Tecnologías Infineon
Se trata de una medida de seguridad.	MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3	En el caso de las
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3	En el caso de las
Se aplicarán los siguientes requisitos:	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	Nexperia EE.UU. Inc.
FDB2614	MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK	En el caso de las
FDP150N10: el número de unidades	MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3	En el caso de las
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo y de los equipos de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo y de los equipos de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo de las máquinas de ensayo.127	MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB	Nexperia EE.UU. Inc.
FQPF6N80C	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F	En el caso de las
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.	MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK	Vishay Siliconix
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3	En el caso de las
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.	MOSFET P-CH 60V 120A TO263	Vishay Siliconix
SQM100P10-19L_GE3	MOSFET P-CH 100V 93A TO263	Vishay Siliconix
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 20% del valor de las emisiones.	MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Las condiciones de los certificados de calidad	MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3	En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 200V 19A TO220F	En el caso de las
FQB5N90TM	MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK	En el caso de las
Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:	MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN y otros componentes de los mismos	En el caso de las
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA	Vishay Siliconix
Si el número de unidades de producción es superior a 0,01	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
FQB19N20LTM	MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK	En el caso de las
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN	En el caso de las
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6	STMicroelectrónica
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades	MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN	En el caso de las
SIR872ADP-T1-GE3 (en inglés)	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Si el producto no es compatible con la norma ISO 7638:2003, se aplicará el procedimiento siguiente:	MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8 y sus componentes	Vishay Siliconix
SIR690DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.	MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8	Vishay Siliconix
FDS4672A: las condiciones de los vehículos de transporte	MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC El contenido de MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC es el contenido de MOSFET N-CH 4	En el caso de las
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.	MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8	Vishay Siliconix

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Audio para un propósito especial

Reloj/horación

Adquisición de datos

incorporado

Interfaz

Se trata de una

La lógica

Memoria

Administración de energía (PMIC)

ICs especializados

Circuitos integrados de semiconductores - IC

IC de seguridad / IC de autenticación

Gestión ICs del poder

Convertidor de datos ICs

Memoria

Circuitos integrados de amplificador

ICs audios

Circuitos integrados de controlador

Multimedias ICs

Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

Reloj y contador de tiempo ICs

Circuitos integrados de comunicación y redes

Interfaz de circuitos integrados

Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales