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FETs, MOSFETs
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 es igual o superior a 0,9%. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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bss84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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En el caso de las
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Si el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero no es compatible con el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero debe utilizarse. |
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la
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Vishay Siliconix
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Se trata de una serie de productos que se fabrican en la Unión Europea. |
MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inver
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
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Nexperia EE.UU. Inc.
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PMV250EPEAR |
MOSFET P-CH 40V 1.5A hasta 236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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RK7002BMHZGT116 y sus componentes |
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 y sus componentes
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Semiconductor de Rohm
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será igual al valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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Si el vehículo no está equipado con un sistema de control de velocidad, el sistema de control de velocidad deberá utilizarse para el control de velocidad. |
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invern
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Vishay Siliconix
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Se aplican las siguientes medidas: |
MOSFET N-CH 60V 3.5A hasta 236AB
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invern
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Nexperia EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto inver
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Diodos incorporados
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Se trata de un proyecto de investigación. |
FET RF 2CH 65V 1,91 GHz NI780S-4
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
MOSFET de RF LDMOS DL 28V TO272-4
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
FET RF 65V 945MHZ NI-360
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de ensayo. |
FET RF 68V 1,99 GHz NI-780
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará el método de ensayo. |
FET RF 65V 1,51 GHz NI780
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
FET RF 66V 880MHZ NI-780: las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inverna
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NXP EE.UU. Inc.
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MMBF4416 |
Se aplicará el método de medición de la velocidad.
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En el caso de las
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MRF282ZR1 |
FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF6VP3450HR6 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF1517NT1 |
FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF1513NT1 |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP EE.UU. Inc.
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PD84001 |
FET RF 18V 870 MHz
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STMicroelectrónica
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PD85004 |
FET RF 40V 870MHZ
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STMicroelectrónica
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Se trata de una serie de pruebas. |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1 y el resto de los componentes.5
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6S9045NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de la siguiente: |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
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NXP EE.UU. Inc.
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DU28200M |
Transistores, MOSFET, 200W, 28V, 2-175
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Soluciones tecnológicas MACOM
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NE3515S02-T1C-A |
HJ SUPER BAJO RUIDO PSEUDOMORFO
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El CEL
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PD55003-E |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
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STMicroelectrónica
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MRFE6VP61K25HR5 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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VRF2933MP |
MOSFET RF N-CANAL 50V M177
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Tecnología de microchips
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Las condiciones de los productos |
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
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NXP EE.UU. Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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MRF6VP3450HR5 |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP EE.UU. Inc.
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AFT09MS031NR1 |
FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6VP100HR5 |
MOSFET de RF LDMOS 50V NI780-4
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
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NXP EE.UU. Inc.
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Las demás: |
FET RF N-CH 500V 14A a 247
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Tecnología de microchips
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AFT27S006NT1 |
MOSFET de RF LDMOS 28V PLD1.5W
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NXP EE.UU. Inc.
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MRFE6VP6300HR5 |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
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NXP EE.UU. Inc.
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PD55003L-E |
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
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STMicroelectrónica
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AFT27S010NT1 y sus componentes |
La frecuencia de radio de la FET NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
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NXP EE.UU. Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMicroelectrónica
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